CSRN-Tokyo Workshop 1

第1回 CSRN-Tokyo Workshop 2017
東京大学スピントロニクス学術連携研究教育センター(CSRN)主催 ワークショップ
新しいスピントロニクス機能材料の開発とその物性制御

日時:2017年 10 月 27 日(金)~ 28 日(土)
場所:東京大学 本郷キャンパス 工学部 2号館 4階246講義室

懇談会:27日(金)18:30~20:00 工学部 2号館 3階 電気系会議室1

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目的

スピントロニクス研究の急速な発展により、様々な新材料の創成、新しい物性や機能の開拓研究が盛んに行われています。半導体、金属、酸化物などを母体とするスピントロニクス材料をベースにゲート電界などの外場を用いて磁気的交換相互作用や磁気異方性を制御し、それらの巨大物性応答化を目指し、現在の最先端のCMOS半導体集積技術と融合することが、将来の実用化のためには極めて重要と考えられます。これらの新規分野の可能性と研究の方向性を集中的に議論し、有効な方向性と実践を模索するためのワークショップを開催します。

ワークショップの形式

磁性半導体、金属強磁性体、それらのナノ構造やその機能探索など、それぞれのテーマのセッションにおいてご活躍中の研究者による基調講演と話題提供講演を行い、十分な討論を行います。司会者と基調講演者は活発で建設的な議論を導き、新規な概念・理論や新しい実験を提案出来るように努めます。従って参加者は基本的には期間中すべてのセションに参加して討論に加わり、新規な概念と研究の方向性を講演者、司会者、および他の参加者と協力して建設的議論を行うことが期待されます。司会者と基調講演者は発言者の協力を得て、コンパクトな報告書にまとめ、後日これらを参加者に配布します。本ワークショップ参加者は、司会者や基調講演者と連携・協働し、活発で積極的な提案を行い、スピントロニクス研究の新しい方向性、新規マテリアル・新規デバイスの提案、それらの共同研究に繋げることを目指します。

世話人

吉田 博、田中雅明
東京大学工学系研究科・スピントロニクス学術連携研究教育センター(CSRN)

主催・共催

主催:東京大学CSRN、東北大学CSRN、大阪大学CSRN、慶應大学CSRN、Spin-RNJ
共催:応用物理学会スピントロニクス研究会

懇談会

日時:10月27日(金)18:30~20:00
場所:東京大学 本郷キャンパス 工学部 2号館 3階 電気系会議室1
参加登録受付中 ← ココをクリック

プログラム

会場:東京大学 本郷キャンパス 工学部 2号館 4階246講義室

10月27日(金)

13:00 – 13:10
開会挨拶と趣旨説明 田中雅明、吉田博(東京大学工学系研究科)

Session I 新物質と新機能の探索・開拓(1) 半導体系
司会:ファムナムハイ(東京工業大学工学院)

13:10 – 13:50
レデゥックアイン(東京大学工学系研究科)
(基調講演)狭ギャップ強磁性半導体とヘテロ構造の作製と機能物性

13:50 – 14:20
中村壮智、勝本信吾(東京大学物性研究所)
強磁性半導体-超伝導体接合における超伝導現象

14:20 – 14:50
坂本祥哉、藤森淳(東京大学理学系研究科)
光電子分光、XMCD、第一原理計算からみたFeドープ強磁性半導体

14:50 – 15:20
宗田伊理也(東京工業大学工学院)、大矢忍(東京大学工学系研究科)
強磁性半導体における価電子帯秩序の回復と量子サイズ効果による磁気異方性の制御

(休憩20分)

Session II 新物質と新機能の探索・開拓(2) 金属系
司会:白井正文(東北大学電気通信研研究所)

15:40 – 16:20
中谷友也(物質材料研究機構)
(基調講演)ホイスラー合金と新規スペーサー層を用いたCPP-GMRのスピン伝導

16:20 – 16:50
窪田崇秀(東北大学金属材料研究所)
ホイスラー合金系CPP-GMR素子における新規材料の探索

16:50 – 17:20
三浦良雄(京都工芸繊維大学)
第一原理計算による磁気抵抗素子の新バリア材料の探索

(休憩20分)

Session III シリコン(IV族)CMOSデバイスの現状と将来
司会:田中雅明(東京大学工学系研究科)

17:40 – 18:20
小林正治(東京大学生産技術研究所)
(特別講演)Present status and future prospects of Si-based CMOS devices

18:30-20:00 懇談会

10月28日(土)

Session IV 電界による磁性の制御
司会:三輪真嗣(大阪大学基礎工学研究科)

9:30 – 10:10
鈴木義茂(大阪大学基礎工学研究科)
(基調講演)金属薄膜の電圧効果の進展

10:10 – 10:40
小野輝男(京都大学化学研究所)
磁気異方性・交換相互作用・キュリー温度に対する電界効果

10:40 – 11:10
千葉大地(東京大学工学系研究科)
Co/Ptをベースとした積層構造における磁性の電界効果

11:10 – 11:40
松倉文礼(東北大学材料科学高等研究所)
磁化ダイナミクスと電界効果

11:40 – 12:10
福島鉄也(大阪大学基礎工学研究科)
Geベース強磁性半導体の第一原理計算

12:10-13:30 昼休み

Session V スピン注入/検出/輸送、スピンデバイス
司会:中根了昌(東京大学工学系研究科)

13:30 – 14:10
白石誠司(京都大学工学研究科)
(基調講演)半導体スピン流物性研究の過去・現在・未来

14:10 – 14:40
浜屋宏平(大阪大学基礎工学研究科)
ゲルマニウムスピントロニクスにおける高品質ヘテロ接合の重要性と課題

14:40 – 15:10
植村哲也(北海道大学大学院情報科学研究科)
化合物半導体への高効率スピン注入とスピン輸送特性

(休憩20分)

15:30 – 16:00
齋藤秀和(産業技術総合研究所)
ワイドギャップ半導体酸化ガリウムを用いた新規スピンデバイス開発

16:00 – 16:30
佐藤彰一、中根了昌(東京大学工学系研究科)
シリコンへのスピン注入と検出:現状の理解と課題

16:30 – 17:00
司会:吉田博(東京大学工学系研究科)

総合討論、まとめ 参加者全員

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